TL082IDT
STMicroelectronics N.V.
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SO N T/R IC OPAMP JFET 4MHZ 8SO Operational Amplifiers - Op Amps Dual Gen Purp JFET OP Amp Dual GP ?18V 8-Pin SO N T/R OP AMP, DUAL, 4MHZ, L BIAS, 8SOIC Operational Amplifier Dual 4 kHz SO-8, TL082IDT, ST STMicroelectronics 双 运算放大器, 4MHz, 8针 SOIC 2xOP 4MHz 16V/µs SO8 _SMD
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 2500 |
| 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | 497-2214-2 |
| 产品类别 | Operational Amplifiers - Op Amps |
| 标准包装数量 | Tape & Reel, Cut Tape |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 增益 | 106.02 dB |
| 通道数 | 2 |
| 压摆率 | 16@±15V V/us |
| 输出类型 | No |
| 失调漂移 | 10µV/°C |
| 输入功率 | Dual |
| 额定功率 | 0.68 W |
| 晶体管类型 | :General Purpose |
| 共模抑制比、电源抑制比（典型） | 80 dB |
| 输出电流 | 1.4mA |
| 供电电流 | 2.5@±15V mA |
| 供电电压 | ±3 V |
| 供电类型 | Dual |
| 通道数量 | 2 |
| 元件数量 | 2 |
| 输入偏置电流 | 20pA |
| ADC/DAC 数量 | :2 |
| 最小输入电压 | 3V |
| 增益带宽积 | 4 MHz |
| 轨到轨工作 | No |
| 最大功耗 | 680 |
| 输入偏置电流（最大） | 0.0002@±15V uA |
| 输出电流/通道 | 40mA |
| 输入失调电流（最大） | 0.0001@±15V |
| 输入噪声电压密度 | 15@±15V nV/rtHz |
| 电源电压范围（典型） | �5/�9/�12/�15 V |
| 发射极-基极电阻（R2） | no |
| 输入失调电压（最大） | 10@±15V mV |
| 电压输出差（典型值）@ 距离 | 106.02 dB |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4(Max) |
| 重量 | 0.0002 |
| 带宽 | :4MHz |
| 占位面积 | 29.4mm² |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SO N |
| 冷却的封装 | SO N |
| 材料表面处理 | :- |
| 顶部端接 | 105°C |
| 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 最小工作高度 | -40°C |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 关断 | No |
| 基本单元 | :082 |
| 匹配码 | TL082IDT |
| 技术 | BiFET |
| 制造商全称 | General Purpose Amplifier |
| 放大器类型 | J-FET |
| 标准交期 | 16 weeks |
| 电路数 | 2 |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -40 to 105 °C |