TIP50

Name: TIP50
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube TRANS NPN 400V 1A TO-220 TIP50, NPN Bipolar Transistor, 1A 400V HFE:10V 10MHz Power, 3-Pin TO-220 Transistors Bipolar - BJT NPN Gen Pur Power TRANSISTOR, NPN, TO-220 TRANSISTORNPN500V1A,TO-220 Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 40W; TO220 Power transistor TO-220 NPN 400 V, TIP50, ST STMicroelectronics , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 10 MHz, 3针 TO-220封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power

分类：分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

规格参数

商业参数

参数	值
其他名称	497-2605-5
产品类别	Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号	90011090
抗辐射加固	No

电气参数

参数	值
频率	10 MHz
最大功率	2W
额定功率	2 W
最大频率	10(Min) MHz
晶体管类型	NPN
供电电压	400V
元件数量	1
25°C时电阻	3.125°C/W
Vce饱和电压（最大）	1 V
最小输入电压	400 V
过渡频率	10MHz
增益带宽积	10 MHz
电源电压（最大）	5 V
最大功耗	2000 mW
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	500 V
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	1V @ 200mA, 1A
集电极电流（Ic）（最大）	1A
集电极截止电流（最大）	1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce	30@300mA@10V\|10@1A@10V
集电极-发射极击穿电压（最大）	5 V

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
重量	0.13
包装方式	Tube
端接方式	:Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
包装数量	50
主要材料	Si
尺寸/外形	9.15 x 10.4 x 4.6mm
位数	3
供应商器件封装	TO-220AB