TIP31C

TIP31C

STMicroelectronics N.V.

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube NPN TRANS.100V 3A 40W TO220 TRANSISTOR NPN 100V 3A TO-220 TIP31C, NPN Bipolar Transistor, 3A 100V HFE:10V Power, 3-Pin TO-220 Transistors Bipolar - BJT NPN Gen Pur Power Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-220 TRANSISTOR,POWER;NPN;100VCE;100VCB;5VEB;3AICC;1AIB;40W@ Transistor: NPN; bipolar; 115V; 3A; 40W; TO220 Power transistor TO-220 NPN 100 V, TIP31C, No Brand STMicroelectronics , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 3针 TO-220封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量50
单位包装50
其他名称497-2615-5
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量1000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85412900
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
电流1A
最大功率2W
额定功率2 W
晶体管类型NPN
供电电压100V
元件数量1
Vce饱和电压(最大)1.2 V
最小输入电压100 V
增益带宽积3 MHz
电源电压(最大)5 V
最大功耗2000 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic100V
漏电流(最大)50
每端口功率(瓦)40W
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A
集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)3 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce25@1A@4V|10@3A@4V
集电极-发射极击穿电压(最大)5 V

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度9.15mm
长度10.4mm
重量0.002
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220
冷却的封装TO-220
材料表面处理:-
包装数量150
主要材料Si
尺寸/外形9.15 x 10.4 x 4.6mm
位数3
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
SPG150
类型NPN
极性NPN
匹配码TIP31C
卡标准Bipolar Power
配置Single
单元数量1
标准交期12 weeks

环境参数

参数值
工作温度-65 to 150 °C
自然散热热阻62.5°C/W
结工作温度150°C