TIP29C

Name: TIP29C
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube TRANSISTOR NPN 100V 1A TO-220 TIP29C, NPN Bipolar Transistor, 1A 100V HFE:15V Power, 3-Pin TO-220 Transistors Bipolar - BJT NPN Gen Pur Power TRANSISTOR, NPN, TO-220 TRANSISTORNPN100V1A,TO-220 Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 30W; TO220 STMicroelectronics , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:15, 3针 TO-220封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power

分类：分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

规格参数

商业参数

参数	值
其他名称	497-2611-5
产品类别	Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412100
抗辐射加固	No

电气参数

参数	值
最大功率	2W
额定功率	2 W
晶体管类型	NPN
供电电压	100V
元件数量	1
Vce饱和电压（最大）	0.7 V
最小输入电压	100 V
增益带宽积	3 MHz
电源电压（最大）	5 V
最大功耗	2000 mW
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	100 V
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	700mV @ 125mA, 1A
集电极电流（Ic）（最大）	1A
集电极截止电流（最大）	1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce	40@0.2A@4V\|15@1A@4V
集电极-发射极击穿电压（最大）	5 V

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
重量	0.002
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
主要材料	Si
尺寸/外形	9.15 x 10.4 x 4.6mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB