STW70N60DM2

STW70N60DM2

STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET , 66 A, Vds=600 V, 3针 TO-247封装 MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量600

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间10.4 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
栅极电荷121 nC
开通延迟时间32 ns
输出功能增强
上升时间(典型)67 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间112 ns
首抽头延迟112 ns
供电电压1.6V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻42 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id5V
平均正向功率446 W
最大功耗446 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)42 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±25 V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds5508 pF @ 100 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C66 A

机械参数

参数值
宽度5.15mm
高度20.15mm
长度15.75mm
安装类型通孔
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-247-3
包装数量TO-247
尺寸/外形15.75 x 5.15 x 20.15mm

产品信息

参数值
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置1 N-Channel

环境参数

参数值
工作温度+150 °C