STW36NM60ND

STW36NM60ND

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET , 29 A, Vds=650 V, 3针 TO-247封装 MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-13888-5
标准包装数量30
工厂包装数量600

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间61.8 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
FET特性Standard
栅极电荷80.4 nC
最大功率190W
开通延迟时间30 ns
输出功能增强
上升时间(典型)53.4 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间111 ns
首抽头延迟111 ns
供电电压650 V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻110 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id5V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs110 mOhm @ 14.5A, 10V
平均正向功率190 W
最大功耗190 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
导通电阻(最大)110 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs80.4nC @ 10V
漏源电压(Vdss)600V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2785pF @ 50V
连续漏极电流(Id)@ 25°C29A (Tc)

机械参数

参数值
宽度5.15mm
高度20.15mm
长度15.75mm
包装方式Tube
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式TO-247-3
包装数量TO-247
尺寸/外形15.75 x 5.15 x 20.15mm
供应商器件封装TO-247

产品信息

参数值
系列*
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+150 °C