---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-10-31T03:18:14.808Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/STW33N60M2/qvobebar
---

# 元件详情：STW33N60M2

- **型号**: STW33N60M2
- **oneic 编号**: 390-STW33N60M2
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET , 26 A, Vds=650 V, 3针 TO-247封装 MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
- **分类**: 分立半导体元件 / 分立半导体 / 触发二极管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 30 |
| 工厂包装数量 | 600 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 45.5 nC |
| 最大功率 | 190W |
| 开通延迟时间 | 16 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 9.6 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 109 ns |
| 首抽头延迟 | 109 ns |
| 供电电压 | 650 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 125 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 13A, 10V |
| 平均正向功率 | 190 W |
| 最大功耗 | 190 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 108 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 45.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1781pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 26A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 5.15mm |
| 高度 | 20.15mm |
| 长度 | 15.75mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-247-3 |
| 包装数量 | TO-247 |
| 尺寸/外形 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 供应商器件封装 | TO-247 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | * |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +150 °C |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/STW33N60M2`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/stmicroelectronics/STW33N60M2/qvobebar?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)