STW30NF20
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube MOSFET 40V 0.07 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 STW30NF20, N-channel MOSFET Transistor, 30A 200V, 3-Pin TO-247 MOSFET, N CH, 200V, 30A, TO-247 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS200V;RDS(ON)0.065Ohm;ID30A;TO-247;PD125W;VGS+/-20V
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1200 |
| 单位包装 | 30 |
| 其他名称 | 497-5989-5 |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | TO-247 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 125W |
| 额定功率 | 125 W |
| 开通延迟时间 | 35ns |
| 下降时间（典型） | 8.8 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 关断延迟时间 | 38ns |
| 首抽头延迟 | 38 ns |
| 供电电压 | 1.5V |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 200 V |
| 阈值电压 | :3V |
| 最大额定电流 | :30A |
| 导通电阻 RDS(On) | :65mohm |
| 触点电压（最大） | :200V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 75@10V mOhm |
| 最大功耗 | 125 W |
| 传播延迟（最大） | 15.7 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 导通电阻（最大） | 0.075 Ω |
| 电流传输比（最大） | 20S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 35 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 30 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 30 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1597pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 5.15mm |
| 高度 | 20.15mm |
| 长度 | 15.75mm |
| 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 端接方式 | :Through Hole |
| 极化 | N-Channel |
| 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-247 |
| 冷却的封装 | TO-247 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 15.75(Max) |
| 包装数量 | TO-247 |
| 尺寸/外形 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 20.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 结工作温度 | +150°C |