STW21N65M5

STW21N65M5

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube MOSFET N-CH 650V 17A TO-247 STW21N65M5, N-channel MOSFET Transistor, 17A 650V, 3-Pin TO-247 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 17 A MOSFET, N CH, 650V, 17A, TO 247

规格参数

商业参数

参数值
产品类别MOSFET
标准包装数量Bulk
标准封装名称TO-247

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间24 ns
最大栅源电压 Vgs25 V
FET特性Standard
栅极电荷50 nC
最大功率125W
额定功率125 W
上升时间(典型)10 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟12 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id5V @ 250µA
击穿电压650 V
阈值电压:4V
导通电阻 RDS(On):0.15ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs190@10V mOhm
最大功耗125 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V
导通电阻(最大)0.179 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs50nC @ 10V
漏源电压(Vdss)650V
峰值脉冲电流(10/1000µs)17 A
栅极触发电压 Vgt (最大)3 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)10.7 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1950pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C17A (Tc)

机械参数

参数值
宽度5.15mm
高度20.15mm
长度15.75mm
重量0.443
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-247
冷却的封装TO-247
材料表面处理:-
总长度15.75(Max)
包装数量TO-247
尺寸/外形15.75 x 5.15 x 20.15mm
位数3
外壳尺寸-插件20.15(Max)
供应商器件封装TO-247-3

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
已删除Compliant
极性N
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C