STW20N95K5

STW20N95K5

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A SuperMESH 5 Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube N-CH 950V 15.5A 330mOhm TO247-3 MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 MOSFET, N CH, 950V, 17.5A, 0R275, TO-247 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 17.5 A, Vds=950 V, 3针 TO-247封装 MOSFET N-Ch 950V 2.75 Ohm 17.5A MDmesh K5

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量30
单位包装30
其他名称497-12872-5
产品类别MOSFET
标准包装数量30
标准封装名称TO-247

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs�30 V
逻辑类型NO
FET特性Standard
栅极电荷40 nC
最大功率250W
额定功率250 W
晶体管类型N-Channel
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id5V @ 100µA
击穿电压950
阈值电压:4V
导通电阻 RDS(On):0.275ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs0.330Ohm
最大功耗:250W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic950 V
每端口功率(瓦)210W
导通电阻(最大)330@10V
供电电压 (Vcc/Vdd)950V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs40nC
漏源电压(Vdss)950V
峰值脉冲电流(10/1000µs)17.5
栅极触发电压 Vgt (最大)30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)15.5A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1500pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C17.5A (Tc)

机械参数

参数值
宽度5.15(Max)
重量0.0001
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式TO247-3
冷却的封装TO-247
材料表面处理:-
总长度15.75(Max)
包装数量TO-247
位数3
外壳尺寸-插件20.15(Max)
供应商器件封装TO-247-3

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STW20N95K5
技术SuperMESH
通道类型N
标准交期12 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度- 55 C
热阻 @ GPM3.1K/W