STW15NK90Z

STW15NK90Z

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube N-CH 900V 15A 550mOhm TO247-3 MOSFET N-CH 900V 15A TO-247 STW15NK90Z, N-channel MOSFET Transistor 15A 900V, 3-Pin TO-247 MOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N CH, 900V, 15A, TO-247 MOSFETN15A900VTO247 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 15 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量600
单位包装30
其他名称497-3557-5
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量30
标准封装名称TO-247

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423300
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间35 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V
逻辑类型NO
FET特性Standard
栅极电荷190 nC
最大功率350W
噪声系数Not Required dB
额定功率350 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)35 ns
最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)27 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟135 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 150µA
击穿电压900 V
阈值电压:3.75V
最大额定电流:15A
导通电阻 RDS(On):400mohm
触点电压(最大):900V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs550@10V mOhm
最大功耗350 W
传播延迟(最大)27 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic900 V
漏电流(最大)15 A
每端口功率(瓦)300W
导通电阻(最大)0.55 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)900V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs256nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)42 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)900V
峰值脉冲电流(10/1000µs)15 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)15A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds6100pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C15A (Tc)

机械参数

参数值
宽度5.15mm
高度20.15mm
长度15.75mm
重量0.0002
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-247
冷却的封装TO-247
材料表面处理:-
总长度15.75(Max)
包装数量TO-247
尺寸/外形15.75 x 5.15 x 20.15mm
位数3
外壳尺寸-插件20.15(Max)
供应商器件封装TO-247-3

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
匹配码STW15NK90Z
技术SuperMESH
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
标准交期12 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C
热阻 @ GPM0.36K/W