STW12NK80Z
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube N-CH 800V 11A 750mOhm TO247-3 MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247 STW12NK80Z, N-channel MOSFET Transistor 10.5A 800V, 3-Pin TO-247 MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-247 STW12NK80Z MOSFET N, 800 V 10.5 A 190 W TO-247, STW12NK80Z, ST STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 10.5 A, Vds=800 V, 3针 TO-247封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 600 |
| 单位包装 | 30 |
| 其他名称 | 497-3256-5 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 标准封装名称 | TO-247 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 87 nC |
| 最大功率 | 190W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 190 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 20 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 18 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 70 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 800 V |
| 阈值电压 | :3.75V |
| 最大额定电流 | :10.5A |
| 导通电阻 RDS(On) | :750mohm |
| 触点电压（最大） | :800V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 750@10V mOhm |
| 最大功耗 | 190 W |
| 传播延迟（最大） | 18 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 800 V |
| 漏电流（最大） | 10.5 A |
| 每端口功率（瓦） | 190W |
| 导通电阻（最大） | 0.75 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 800V |
| 电流传输比（最小） | 12 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 87nC |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | :42A |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 10.5A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2620pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10.5A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 5.15mm |
| 高度 | 20.15mm |
| 长度 | 15.75mm |
| 重量 | 0.006 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-247 |
| 冷却的封装 | TO-247 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 15.75(Max) |
| 包装数量 | TO-247 |
| 尺寸/外形 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 20.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 匹配码 | STW12NK80Z |
| 技术 | SuperMESH |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 12 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 热阻 @ GPM | 0.66K/W |
技术文档
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