STULED656
STMicroelectronics N.V.
MOSFET N-CH 650V IPAK
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 标准包装数量 | 75 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 30W |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 34nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 895pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |