STU60N55F3

STU60N55F3

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube MOSFET N-CH 55V 80A IPAK MOSFET, N CH, 55V, 80A, IPAK

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量75
标准封装名称IPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423300

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs:10V
FET特性Standard
最大功率110W
晶体管类型:N Channel
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压55
阈值电压:4V
最大额定电流:80A
导通电阻 RDS(On):6.5mohm
触点电压(最大):55V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs8.5 mOhm @ 32A, 10V
最大功耗:110W
导通电阻(最大)8.5@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs45nC @ 10V
漏源电压(Vdss)55V
峰值脉冲电流(10/1000µs)80
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2200pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80A (Tc)

机械参数

参数值
宽度2.4(Max)
重量0.0002
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole
引脚数:3
封装形式TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
材料表面处理:-
总长度6.6(Max)
包装数量IPAK
位数3
外壳尺寸-插件6.2(Max)
供应商器件封装I-Pak

产品信息

参数值
通道类型N
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度:-55°C