规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 标准包装数量 | 75 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 25 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 9.5 nC |
| 最大功率 | 60W |
| 开通延迟时间 | 8.5 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 7.5 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 20.5 ns |
| 首抽头延迟 | 20.5 ns |
| 供电电压 | 800 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 3.5 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 100µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1A, 10V |
| 平均正向功率 | 60 W |
| 最大功耗 | 60 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 800 V |
| 导通电阻（最大） | 3.5 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 130pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.5A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.4mm |
| 高度 | 6.2mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 包装数量 | IPAK |
| 尺寸/外形 | 6.6 x 2.4 x 6.2mm |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | * |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |