STT6N3LLH6

STT6N3LLH6

STMicroelectronics N.V.

MOSF N CH 30V 6A SOT236L PMOSLL 30V 0.02 MOSF N CH 30V 6A SOT23-6 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 6 A, Vds=30 V, 6针 SOT-23封装 MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
单位包装3000
其他名称497-13591-2
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间5.4 ns
FET特性Logic Level Gate
栅极电荷3.6 nC
最大功率1.6W
开通延迟时间4.8 ns
输出功能增强
上升时间(典型)11.2 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间9.4 ns
首抽头延迟9.4 ns
供电电压30 V
元件数量1
输入电阻40 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs25 mOhm @ 3A, 10V
平均正向功率1.6 W
最大功耗1.6 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
导通电阻(最大)40 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs3.6nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)30V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds283pF @ 24V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6A (Tc)

机械参数

参数值
宽度1.75mm
高度1.3mm
长度3.05mm
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数6
封装形式SOT-23-6
包装数量SOT-23
尺寸/外形3.05 x 1.75 x 1.3mm
供应商器件封装SOT-23-6

产品信息

参数值
系列N-channel STripFET
功能Y
技术Si
通道类型N
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET

环境参数

参数值
工作温度+150 °C