STT4P3LLH6

STT4P3LLH6

STMicroelectronics N.V.

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 MOSFET POWER MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间3.4 ns
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
栅极电荷6 nC
上升时间(典型)5 ns
晶体管类型P-Channel
首抽头延迟19.2 ns
通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id- 2.5 V
平均正向功率1.6 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V
导通电阻(最大)48 mOhms
连续漏极电流(Id)@ 25°C- 4 A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-23-6

产品信息

参数值
系列P-channel STripFET
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
配置1 P-Channel

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C