规格参数
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 开通延迟时间 | 43 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 148 ns |
| 供电电压 | 1.1V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 29 mΩ |
| 最大功耗 | 2.7 W |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2850 pF @ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数 | 8 |
| 封装形式 | SOIC-8 |
| 包装数量 | SOIC |
| 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.5mm |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | P-channel STripFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | P |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |