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# 元件详情：STS5DNF60L

- **型号**: STS5DNF60L
- **oneic 编号**: 390-STS5DNF60L
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC MOSFET POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SOIC |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±15 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 15 nC |
| 最大功率 | 2W |
| 额定功率 | 2 W |
| 下降时间（典型） | 10 ns |
| 上升时间（典型） | 28 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 45 ns |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 45@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 2 W |
| 最大功耗 | 2000 |
| 传播延迟（最大） | 28 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 导通电阻（最大） | 45 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 25 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 15 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1030pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4(Max) |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8SO N |
| 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Dual |
| 印刷电路板数量 | 8 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 实时报价

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