STS5DNF20V

Name: STS5DNF20V
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SO N T/R MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC STS5DNF20V, Dual N-channel MOSFET Transistor, 5A 20V, 8-Pin SO-8 MOSFET N-Ch 20 Volt 5 Amp MOSFET, NN CH, 20V, 5A, 8-SOIC Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; 1.6W; SO8 STMicroelectronics 双 N沟道 MOSFET 晶体管 , 5 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
其他名称	497-3229-2
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Tape & Reel
标准封装名称	SOIC

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900

电气参数

参数	值
FET类型	2 N-Channel (Dual)
下降时间	10 ns
最大栅源电压 Vgs	±12 V
FET特性	Logic Level Gate
最大功率	2W
额定功率	2 W
下降时间（典型）	10 ns
上升时间（典型）	33 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	27 ns
元件数量	2
Vgs(th)（最大）@ Id	600mV @ 250µA
击穿电压	20 V
阈值电压	:2.7V
最大额定电流	:5A
导通电阻 RDS(On)	:30mohm
触点电压（最大）	:20V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	40@4.5V mOhm
最大功耗	2 W
传播延迟（最大）	33 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	20 V
导通电阻（最大）	0.045 Ω
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	11.5nC @ 4.5V
开关时间（Ton, Toff）（最大）	7 ns
漏源电压（Vdss）	20V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	5 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 12 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	5 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	460pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	5A

机械参数

参数	值
宽度	4mm
高度	1.65mm
长度	5mm
重量	0.002998 oz
包装方式	Tape and Reel
引脚样式	Gull-wing
端接方式	:SMD
安装类型	Surface Mount
安装样式	SMD/SMT
引脚数	:8
封装形式	8SO N
冷却的封装	SO-8
材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited
总长度	5(Max)
包装数量	SO N
尺寸/外形	5 x 4 x 1.65mm
位数	8
外壳尺寸-插件	1.65(Max)
供应商器件封装	8-SO