STS4DPF30L
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R Dual -30V -4A 70mOhm SO-8 MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC STS4DPF30L, Dual P-channel MOSFET Transistor 4A 30V, 8-Pin SO MOSFET, PP CH, 30V, 4A, 8SOIC MOSFET,Power;DualP-Ch;VDSS30V;RDS(ON)0.07Ohm;ID4A;SO-8;PD2W;VGS+/-16V;-55 STMicroelectronics , 双 P沟道 MOSFET, 4 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 2500 |
| 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | 497-3228-2 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V |
| 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 2W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 2 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 开通延迟时间 | 25ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :P Channel |
| 关断延迟时间 | 125ns |
| 首抽头延迟 | 125 ns |
| 供电电压 | 1.2V |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.07ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 80@10V mOhm |
| 最大功耗 | 2 W |
| 传播延迟（最大） | 35 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 漏电流（最大） | 4 A |
| 每端口功率（瓦） | 2W |
| 导通电阻（最大） | 0.08 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | -30V |
| 电流传输比（最大） | 10S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 16nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | -4A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1350pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.25mm |
| 长度 | 5mm |
| 重量 | 0.008 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 极化 | DualP-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SO N |
| 冷却的封装 | SO |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N |
| 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.25mm |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | P |
| 匹配码 | STS4DPF30L |
| 技术 | STripFET |
| 通道类型 | P |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Dual Drain |
| 标准交期 | 10 weeks |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 热阻 @ GPM | n.s.K/W |
| 结工作温度 | +150°C |