STS4DNFS30L

STS4DNFS30L

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SO N T/R MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-3227-2
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称SOIC

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±16 V
FET特性Diode (Isolated)
最大功率2W
下降时间(典型)22 ns
首抽头延迟25 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs55@10V mOhm
最大功耗2000
传播延迟(最大)100 ns
导通电阻(最大)55@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs9nC @ 5V
开关时间(Ton, Toff)(最大)11 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)4 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds330pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C4A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4(Max)
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式8SO N
总长度5(Max)
包装数量SO N
位数8
外壳尺寸-插件1.65(Max)
供应商器件封装8-SO

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
印刷电路板数量8

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C