STS4DNF60

STS4DNF60

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-8041-1
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型2 N-Channel (Dual)
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率2W
下降时间(典型)6 ns
首抽头延迟17 ns
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压60 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs90@10V mOhm
传播延迟(最大)18 ns
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)7 ns
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)4 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds315pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C4A

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
封装形式8SO N
供应商器件封装8-SO

产品信息

参数值
通道类型Enhancement

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C