STS3DPF60L

STS3DPF60L

STMicroelectronics N.V.

MOSFET Dual P-Ch 60 Volt 3A Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SO N T/R MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-4123-2
标准包装数量2,500
标准封装名称SOIC

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型2 P-Channel (Dual)
最大栅源电压 Vgs±16
FET特性Logic Level Gate
最大功率2W
元件数量2
Vgs(th)(最大)@ Id1.5V @ 250µA
击穿电压60
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs120 mOhm @ 1.5A, 10V
最大功耗2000
导通电阻(最大)120@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs15.7nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)3
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds630pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3A

机械参数

参数值
宽度4(Max)
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
总长度5(Max)
包装数量SO N
位数8
外壳尺寸-插件1.65(Max)
供应商器件封装8-SO

产品信息

参数值
通道类型P
印刷电路板数量8

环境参数

参数值
工作温度150