STS3DNE60L

STS3DNE60L

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量2,500

电气参数

参数值
FET类型2 N-Channel (Dual)
FET特性Logic Level Gate
最大功率2W
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs80 mOhm @ 1.5A, 10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs13.5nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)60V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds815pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3A

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
封装形式8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO