STS26N3LLH6

STS26N3LLH6

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin SO N T/R MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC MOSFET N-Ch 30V 0.0039 Ohm 26A STripFET VI DG MOSFET, N-CH, 30V, 26A, 8-SOIC

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-12348-2
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称SOIC

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率2.7W
额定功率2.7 W
下降时间(典型)46 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟75 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30 V
阈值电压:1V
导通电阻 RDS(On):0.0038ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs4.4@10V mOhm
最大功耗:2.7W
传播延迟(最大)18 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
导通电阻(最大)4.4@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs40nC @ 4.5V
开关时间(Ton, Toff)(最大)17 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)26 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)26 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4040pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C26A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4(Max)
重量0.0138
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:8
封装形式8SO N
冷却的封装SO N
材料表面处理:-
总长度5(Max)
包装数量SO N
位数8
外壳尺寸-插件1.65(Max)
供应商器件封装8-SO

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
已删除Compliant
极性N
通道类型Enhancement
配置Single
印刷电路板数量8

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C