STS12NH3LL

STS12NH3LL

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-Ch 30 Volt 12 Amp Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SO N T/R MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC MOSFET,Power;N-Ch;VDSS30V;RDS(ON)0.008Ohm;ID12A;SO-8;PD2.7W;VGS+/-16V;Qg9

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-4122-2
标准包装数量2,500
标准封装名称SOIC

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±16V
FET特性Logic Level Gate
最大功率2.7W
开通延迟时间15ns
关断延迟时间18ns
供电电压1.3V
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs10.5 mOhm @ 6A, 10V
最大功耗2.7W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30V
导通电阻(最大)0.008Ohm
电流传输比(最大)38S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs12nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)12
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)12A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds965pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C12A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4(Max)
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
极化N-Channel
安装类型Surface Mount
封装形式8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
总长度5(Max)
包装数量SO N
位数8
外壳尺寸-插件1.65(Max)
供应商器件封装8-SO

产品信息

参数值
通道类型N
印刷电路板数量8

环境参数

参数值
工作温度150
结工作温度+150°C