STS10P4LLF6

STS10P4LLF6

STMicroelectronics N.V.

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC STMicroelectronics , P沟道 MOSFET, 10 A, Vds=40 V, 8针 SOIC封装 MOSFET POWER MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间20 ns
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
栅极电荷34 nC
开通延迟时间49.4 ns
输出功能增强
上升时间(典型)60.6 ns
晶体管类型Si
关断延迟时间170 ns
首抽头延迟170 ns
供电电压1.1V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻20 mΩ
Vgs(th)(最大)@ Id1V
平均正向功率2.7 W
最大功耗2.7 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 40 V
导通电阻(最大)12.5 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±20 V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3525 pF @ -25 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C10 A

机械参数

参数值
宽度4mm
高度1.5mm
长度5mm
包装方式Reel
安装类型表面贴装
安装样式SMD/SMT
引脚数8
封装形式SOIC-8
包装数量SOIC
尺寸/外形5 x 4 x 1.5mm

产品信息

参数值
系列P-channel STripFET
功能Y
技术Si
通道类型P
制造商全称STMicroelectronics
卡标准功率 MOSFET
配置1 P-Channel

环境参数

参数值
工作温度+150 °C