首页产品分类分立半导体元件IGBT分立IGBTSTPLED625H

STPLED625H

STPLED625H

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 620V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

合规参数

参数	值
抗辐射加固	No

电气参数

参数	值
最大栅源电压 Vgs	�30 V
额定功率	70 W
元件数量	1
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	4.5 A

机械参数

参数	值
包装方式	Rail/Tube
安装类型	Through Hole
冷却的封装	TO-220
位数	3 +Tab

产品信息

参数	值
类型	Power MOSFET
极性	N
通道类型	Enhancement

环境参数

参数	值
工作温度	-55C to 150C