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# 元件详情：STP9NK65ZFP

- **型号**: STP9NK65ZFP
- **oneic 编号**: 390-STP9NK65ZFP
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP MOSFET N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 41 nC |
| 最大功率 | 30W |
| 额定功率 | 30 W |
| 下降时间（典型） | 15 ns |
| 上升时间（典型） | 12 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 45 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 650 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1200@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 30 W |
| 传播延迟（最大） | 12 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 1.2 Ohms |
| 电流传输比（最小） | 6 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 41nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 6.4 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6.4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1145pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6.4A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 高度 | 9.3 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220FP |
| 冷却的封装 | TO-220FP |
| 位数 | 3 +Tab |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00003048.pdf)
- [STP9NK65Z(FP)](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00003048.pdf)
- [Datasheet](http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00003048.pdf)

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