规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 41 nC |
| 最大功率 | 30W |
| 额定功率 | 30 W |
| 下降时间（典型） | 15 ns |
| 上升时间（典型） | 12 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 45 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 650 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1200@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 30 W |
| 传播延迟（最大） | 12 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 1.2 Ohms |
| 电流传输比（最小） | 6 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 41nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 6.4 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6.4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1145pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6.4A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 高度 | 9.3 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220FP |
| 冷却的封装 | TO-220FP |
| 位数 | 3 +Tab |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | N-channel MDmesh |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |