STP9NK60ZFP

Name: STP9NK60ZFP
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET 600V 0.9 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FP STP9NK60ZFP, N-channel MOSFET Transistor, 7A 600V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 7 A, Vds=600 V, 3针 TO-220FP封装

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	2000
单位包装	50
其他名称	497-5983-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220F

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
欧盟RoHS	Compliant

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	15 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
FET特性	Standard
栅极电荷	38 nC
最大功率	30W
额定功率	30 W
开通延迟时间	19 ns
下降时间（典型）	15 ns
输出功能	增强
上升时间（典型）	17 ns
晶体管类型	N-Channel
关断延迟时间	43 ns
首抽头延迟	43 ns
供电电压	600 V
通道数量	1 Channel
元件数量	1
输入电阻	950 mΩ
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 100µA
击穿电压	600 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	950@10V mOhm
平均正向功率	30 W
最大功耗	30 W
传播延迟（最大）	17 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	600 V
导通电阻（最大）	0.95 Ω
电流传输比（最小）	5.3 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	53nC @ 10V
开关时间（Ton, Toff）（最大）	19 ns
漏源电压（Vdss）	600V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	7 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	7 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1110pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	7A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	16.4mm
长度	10.4mm
包装方式	Tube
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	3
封装形式	3TO-220FP
冷却的封装	TO-220FP
包装数量	TO-220FP
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 16.4mm
位数	3
供应商器件封装	TO-220FP