STP9NK50ZFP
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220FP STP9NK50ZFP, N-channel MOSFET Transistor 7.2A 500V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A MOSFET, N, TO-220FP STP9NK50ZFP MOSFET N, 500 V 7.2 A 30 W TO-220FP, STP9NK50ZFP, ST STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 7.2 A, Vds=500 V, 3针 TO-220FP封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 22 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 30W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 30 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 22 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 20 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 45 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 500 V |
| 阈值电压 | :3.75V |
| 最大额定电流 | :7.2A |
| 导通电阻 RDS(On) | :850mohm |
| 触点电压（最大） | :500V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 850@10V mOhm |
| 最大功耗 | 30 W |
| 传播延迟（最大） | 20 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 500 V |
| 漏电流（最大） | 7.2 A |
| 导通电阻（最大） | 0.85 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 32nC @ 10V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | :28.8A |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 17 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 7.2 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7.2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 910pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7.2A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 9.3mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220FP |
| 冷却的封装 | TO-220FP |
| 材料表面处理 | :- |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 9.3mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
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