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# 元件详情：STP8NM60

- **型号**: STP8NM60
- **oneic 编号**: 390-STP8NM60
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 650V 8A TO-220
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | TO-220 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 100W |
| 首抽头延迟 | 23 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 600 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1000@10V mOhm |
| 最大功耗 | 100000 |
| 传播延迟（最大） | 10 ns |
| 导通电阻（最大） | 1000@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 14 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 400pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6(Max) |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 通道类型 | Enhancement |
| 印刷电路板数量 | 3 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00002085.pdf)
- [STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00002085.pdf)

## 实时报价

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