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# 元件详情：STP8NK100Z

- **型号**: STP8NK100Z
- **oneic 编号**: 390-STP8NK100Z
- **厂商**: STMicroelectronics N.V.
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 1kV 7A 1850mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 STP8NK100Z, N-channel MOSFET Transistor 6.5A 1000V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5A MOSFETN6.5A1000VTO220 STMicroelectronics  , N沟道 MOSFET, 6.5 A, Vds=1000 V, 3针 TO-220封装
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-5021-5 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 标准封装名称 | TO-220 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 30 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 73 nC |
| 最大功率 | 160W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 160 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 30 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 19 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 59 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 1000 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1850@10V mOhm |
| 最大功耗 | 160 W |
| 传播延迟（最大） | 19 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1000 V |
| 漏电流（最大） | 6.5 A |
| 每端口功率（瓦） | 160W |
| 导通电阻（最大） | 1.85 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 1000V |
| 电流传输比（最小） | 7 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 102nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 28 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 6.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6.5A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2180pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6.5A (Tc) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 9.15mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 匹配码 | STP8NK100Z |
| 技术 | SuperMESH |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 10 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 热阻 @ GPM | 0.78K/W |

## 数据手册

- [TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013](http://media.digikey.com/pdf/PCNs/STMicroelectronics/IPD-13-7945_Assembly_Site.pdf)
- [Datasheet](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00073035.pdf)
- [ST(F,P)8NK100Z](http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00073035.pdf)
- [Datasheet](http://www.farnell.com/datasheets/1690093.pdf)
- [Datasheet](http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00073035.pdf)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/STP8NK100Z`

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