STP8NK100Z

Name: STP8NK100Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 1kV 7A 1850mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 STP8NK100Z, N-channel MOSFET Transistor 6.5A 1000V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5A MOSFETN6.5A1000VTO220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 6.5 A, Vds=1000 V, 3针 TO-220封装

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	1000
单位包装	50
其他名称	497-5021-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
欧盟RoHS	Compliant
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	30 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
栅极电荷	73 nC
最大功率	160W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	160 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	30 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	19 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	59 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 100µA
击穿电压	1000 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	1850@10V mOhm
最大功耗	160 W
传播延迟（最大）	19 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	1000 V
漏电流（最大）	6.5 A
每端口功率（瓦）	160W
导通电阻（最大）	1.85 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	1000V
电流传输比（最小）	7 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	102nC
开关时间（Ton, Toff）（最大）	28 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	1000V (1kV)
峰值脉冲电流（10/1000µs）	6.5 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	6.5A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	2180pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	6.5A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.15mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
类型	Power MOSFET
极性	N
匹配码	STP8NK100Z
技术	SuperMESH
通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET
配置	Single
标准交期	10 weeks
印刷电路板数量	3