STP85NF55

STP85NF55

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube N CHANNEL MOSFET, 55V, 80A, TO-220

规格参数

商业参数

参数值
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量1000
标准封装名称TO-220

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间35 ns
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率300W
额定功率300 W
下降时间(典型)35 ns
上升时间(典型)100 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟70 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA
击穿电压55 V
阈值电压:3V
导通电阻 RDS(On):8mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs8@10V mOhm
最大功耗300000
传播延迟(最大)100 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic55 V
导通电阻(最大)8@10V
电流传输比(最小)120 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs150nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)25 ns
漏源电压(Vdss)55V
峰值脉冲电流(10/1000µs)80 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)80 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3700pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C80A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6(Max)
重量0.00204
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-220
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220
位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 175 °C