规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 36.5 ns |
| 额定功率 | 110 W |
| 上升时间（典型） | 130 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 36.5 ns |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8 mOhms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 电流传输比（最小） | 30 S |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 15 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 85 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.079014 oz |
| 包装方式 | Tube |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 65 C |