STP80NF55-06FP

Name: STP80NF55-06FP
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 55V 80A 7mOhm TO220FP MOSFET N-CH 55V 60A TO-220FP STP80NF55-06FP, N-channel MOSFET Transistor 60A 55V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A MOSFET, N, TO-220FP STP80NF55-06FP MOSFET N, 55 V 60 A 45 W TO-220FP, STP80NF55-06FP, ST STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 60 A, Vds=55 V, 3针 TO-220FP封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	1000
单位包装	50
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
标准封装名称	TO-220F

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	65 ns
最大栅源电压 Vgs	±20 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	45W
额定功率	45 W
下降时间（典型）	65 ns
上升时间（典型）	155 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	125 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
击穿电压	55 V
阈值电压	:3V
最大额定电流	:60A
导通电阻 RDS(On)	:5mohm
触点电压（最大）	:55V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	6.5@10V mOhm
最大功耗	45 W
传播延迟（最大）	155 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	55 V
每端口功率（瓦）	210W
导通电阻（最大）	0.007 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	55V
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	189nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:240A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	27 ns
漏源电压（Vdss）	55V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	60 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	80A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	4400pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	60A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.3mm
长度	10.4mm
重量	0.002
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220FP
冷却的封装	TO-220FP
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220FP
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.3mm
位数	3
外壳尺寸-插件	16.4(Max)
供应商器件封装	TO-220FP