STP7NM80
STMicroelectronics N.V.
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 STP7NM80, N-channel MOSFET Transistor, 6.5A 800V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, TO-220 STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 6.5 A, Vds=800 V, 3针 TO-220封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | TO-220 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 90W |
| 额定功率 | 90 W |
| 下降时间（典型） | 10 ns |
| 上升时间（典型） | 8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 35 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 800 V |
| 阈值电压 | :4V |
| 最大额定电流 | :6.5A |
| 导通电阻 RDS(On) | :950mohm |
| 触点电压（最大） | :800V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1050@10V mOhm |
| 最大功耗 | 90 W |
| 传播延迟（最大） | 8 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 800 V |
| 导通电阻（最大） | 1.05 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 6.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 620pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6.5A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |