STP7NK80Z

Name: STP7NK80Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 800V 5A 1800mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 STP7NK80Z, N-channel MOSFET Transistor 5.2A 800V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220 MOSFETN-ch5.2A800VSuperMESHTO220 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.2A; 125W; TO220 MOSFET N, 800 V 5.2 A 30 W TO-220FP, STP7NK80Z, ST STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 5.2 A, Vds=800 V, 3针 TO-220封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	50
单位包装	50
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	20 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
栅极电荷	40 nC
最大功率	125W
额定功率	125 W
上升时间（典型）	12 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	45 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 100µA
钳位电压	:210mJ
击穿电压	800 V
阈值电压	:3.75V
最大额定电流	:5.2A
导通电阻 RDS(On)	:1.8ohm
触点电压（最大）	:800V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	1800@10V mOhm
最大功耗	125 W
传播延迟（最大）	12 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	800 V
每端口功率（瓦）	125W
导通电阻（最大）	1.8 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	800V
电容比测试条件	:1138pF
反向恢复时间（trr）	:530ns
电流传输比（最小）	5 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	56nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:20.8A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	20 ns
漏源电压（Vdss）	800V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	5.2 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	5.2A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1138pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	5.2A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
引脚间距	:2.54mm
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.15mm
插针孔直径	:a
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
SPG	200
类型	Power MOSFET
极性	N
匹配码	STP7NK80Z
原理图	see
技术	SuperMESH
通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET
配置	Single
单元数量	1
标准交期	10 weeks
印刷电路板数量	3