STP7NK40Z

Name: STP7NK40Z
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 400V 5A 1000mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220 MOSFET N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.4A; 70W; TO220

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	2000
单位包装	50
其他名称	497-3200-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	12 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	70W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	70 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	12 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	15 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	30 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4.5V @ 50µA
钳位电压	:130mJ
击穿电压	400 V
阈值电压	:3.75V
最大额定电流	:5.4A
导通电阻 RDS(On)	:1ohm
触点电压（最大）	:400V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	1000@10V mOhm
最大功耗	:70W
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	400 V
漏电流（最大）	5.4 A
每端口功率（瓦）	70W
导通电阻（最大）	1 ohm
供电电压 (Vcc/Vdd)	400V
电容比测试条件	:535pF
反向恢复时间（trr）	:220ns
电流传输比（最小）	3.5 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	26nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:21.6A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	15 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	400V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	5.4 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	5.4A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	535pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	5.4A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6(Max)
重量	0.050717 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
引脚间距	:2.54mm
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
插针孔直径	:a
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
SPG	10
类型	Power MOSFET
极性	N
匹配码	STP7NK40Z
原理图	see
技术	SuperMESH
通道类型	Enhancement
配置	Single
单元数量	1
标准交期	10 weeks
使用的IC/零件	:STP7NK40Z
印刷电路板数量	3