规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1000 |
| 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-13589-5 |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 20.2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 13.4 nC |
| 最大功率 | 110W |
| 额定功率 | 110 W |
| 开通延迟时间 | 11.3 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 8.3 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 23.7 ns |
| 首抽头延迟 | 11.3 ns |
| 供电电压 | 800 V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 1.2 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 100µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
| 平均正向功率 | 110 W |
| 最大功耗 | 110 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 800 V |
| 导通电阻（最大） | 1.2 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 13.4nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 360pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6mm |
| 高度 | 15.75mm |
| 长度 | 10.4mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-220-3 |
| 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | MDmesh K5 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |