STP6N52K3

STP6N52K3

STMicroelectronics N.V.

MOSFET N-CH 525V 5A TO-220 MOSFET 525V 1.2 STP6N52K3, N-channel MOSFET Transistor, 5A 525V, 3-Pin TO-220 MOSFET, N CH, 525V, 5A, TO 220 STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 5 A, Vds=525 V, 3针 TO-220封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2000
单位包装50
其他名称497-12277
标准包装数量50

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±30 V
FET特性Standard
最大功率70W
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟31 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA
击穿电压525 V
阈值电压:3.75V
导通电阻 RDS(On):1ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 2.5A, 10V
最大功耗70 W
导通电阻(最大)1.2 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs26nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns
漏源电压(Vdss)525V
峰值脉冲电流(10/1000µs)5 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds670pF @ 50V
连续漏极电流(Id)@ 25°C5A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
重量0.19
包装方式Tube
安装类型Through Hole
引脚数:3
封装形式TO-220-3
冷却的封装TO-220
材料表面处理:-
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数3
供应商器件封装TO-220

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET

环境参数

参数值
工作温度+150 °C