STP65NF06

Name: STP65NF06
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET 60V 0.01 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 STP65NF06, N-channel MOSFET Transistor, 60A 60V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-channel MOSFET MOSFET, N CH, 60V, 60A, TO-220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 60 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	2000
单位包装	50
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85423300
抗辐射加固	No

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	16 ns
最大栅源电压 Vgs	±20 V
FET特性	Standard
最大功率	110W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	110 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	16 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	60 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	40 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
击穿电压	60 V
阈值电压	:4V
最大额定电流	:60A
导通电阻 RDS(On)	:11.5mohm
触点电压（最大）	:60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	14@10V mOhm
最大功耗	110 W
传播延迟（最大）	60 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	60 V
漏电流（最大）	60 A
导通电阻（最大）	14 Ω
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	75nC @ 10V
开关时间（Ton, Toff）（最大）	15 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	60V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	60 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	60 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1700pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	60A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	15.75mm
长度	10.4mm
重量	0.0002
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
端接方式	:Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB