规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Trays |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 40 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 25 nC |
| 最大功率 | 85W |
| 额定功率 | 85 W |
| 下降时间（典型） | 40 ns |
| 上升时间（典型） | 15 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 140 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 击穿电压 | 650 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1800@10V mOhm |
| 传播延迟（最大） | 15 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 电流传输比（最小） | 5 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 35nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 680pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.050717 oz |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |