STP55NF06

Name: STP55NF06
Brand: STMicroelectronics N.V.

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 60V 55A 22mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220 STP55NF06, N-channel MOSFET Transistor 50A 60V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp MOSFET, N, TO-220 STP55NF06 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; TO220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 50 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装

分类：集成电路逻辑IC标准逻辑IC

规格参数

商业参数

参数	值
最小起订量	50
单位包装	50
其他名称	497-2777-5
产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

参数	值
RoHS	Lead free / RoHS Compliant
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900
汽车级	NO
抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

参数	值
FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	15 ns
最大栅源电压 Vgs	±20 V
逻辑类型	NO
FET特性	Standard
最大功率	110W
噪声系数	Not Required dB
额定功率	110 W
额定输出功率	Not Required dB
下降时间（典型）	15 ns
最大频率	Not Required MHz
上升时间（典型）	50 ns
晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	36 ns
元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
击穿电压	60 V
阈值电压	:3V
最大额定电流	:50A
导通电阻 RDS(On)	:18mohm
触点电压（最大）	:60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	18@10V mOhm
最大功耗	110 W
传播延迟（最大）	50 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	60 V
漏电流（最大）	50 A
每端口功率（瓦）	110W
导通电阻（最大）	0.018 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)	60V
电流传输比（最小）	18 S
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	60nC
峰值脉冲电流（8/20µs）	:200A
开关时间（Ton, Toff）（最大）	20 ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	60V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	50 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	55A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1300pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	50A (Tc)

机械参数

参数	值
宽度	4.6mm
高度	9.15mm
长度	10.4mm
重量	0.079014 oz
包装方式	Tube
插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole
引脚数	:3
封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220
材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220
尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.15mm
位数	3
外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

参数	值
SPG	50
类型	Power MOSFET
已删除	Compliant
极性	N
匹配码	STP55NF06
技术	StripFET
通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET
配置	Single
单元数量	1
标准交期	10 weeks
印刷电路板数量	3