STP4NK80ZFP

STP4NK80ZFP

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube MOSFET 800V 3.5 MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP STP4NK80ZFP, N-channel MOSFET Transistor 3A 800V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP Tube STP4NK80ZFP STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 3 A, Vds=800 V, 3针 TO-220FP封装

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2000
单位包装50
产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量1000
标准封装名称TO-220F

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间32 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V
FET特性Standard
栅极电荷22.5 nC
最大功率25W
额定功率25 W
开通延迟时间13 ns
下降时间(典型)32 ns
输出功能增强
上升时间(典型)12 ns
晶体管类型N-Channel
关断延迟时间35 ns
首抽头延迟35 ns
供电电压800 V
通道数量1 Channel
元件数量1
输入电阻3.5 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA
击穿电压800 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs3500@10V mOhm
平均正向功率25 W
最大功耗25 W
传播延迟(最大)12 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic800 V
导通电阻(最大)3.5 Ω
电流传输比(最小)2.9 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs22.5nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)13 ns
漏源电压(Vdss)800V
峰值脉冲电流(10/1000µs)3 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)3 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds575pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度9.3mm
长度10.4mm
包装方式Tube
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数3
封装形式3TO-220FP
冷却的封装TO-220FP
包装数量TO-220FP
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.3mm
位数3
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

参数值
系列SuperMESH™
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称STMicroelectronics
卡标准Power MOSFET
配置Single

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C