STP4NK50ZD

STP4NK50ZD

STMicroelectronics N.V.

Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 STP4NK50ZD, N-channel MOSFET Transistor, 3A 500V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 3 A, Vds=500 V, 3针 TO-220封装

规格参数

商业参数

参数值
其他名称497-5131-5
标准包装数量Rail / Tube
标准封装名称TO-220

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±30 V
FET特性Standard
最大功率45W
噪声系数Not Required dB
额定功率45 W
额定输出功率Not Required dB
开通延迟时间9.5 ns
下降时间(典型)22 ns
最大频率Not Required MHz
输出功能增强
晶体管类型Si
关断延迟时间23 ns
首抽头延迟23 ns
供电电压500 V
元件数量1
输入电阻2.7 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA
击穿电压500 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs2700@10V mOhm
最大功耗45 W
传播延迟(最大)15.5 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic500 V
漏电流(最大)3 A
导通电阻(最大)2.7 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs12nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)9.5 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)500V
峰值脉冲电流(10/1000µs)3 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)3 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds310pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3A (Tc)

机械参数

参数值
宽度4.6mm
高度15.75mm
长度10.4mm
包装方式Tube
插片宽度Tab
引脚样式Through Hole
安装类型Through Hole
引脚数3
封装形式3TO-220
冷却的封装TO-220
总长度10.4(Max)
包装数量TO-220
尺寸/外形10.4 x 4.6 x 15.75mm
位数3
外壳尺寸-插件9.15(Max)
供应商器件封装TO-220AB

产品信息

参数值
类型Power MOSFET
极性N
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
印刷电路板数量3

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C