规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 标准封装名称 | TO-220 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 21 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 70W |
| 额定功率 | 25 W |
| 下降时间（典型） | 21 ns |
| 上升时间（典型） | 100 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 20 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 18@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 25 W |
| 最大功耗 | 70000 |
| 传播延迟（最大） | 100 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 16 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 20 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 17 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 45 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 16 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 45 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 800pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4.6(Max) |
| 高度 | 9.15 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 重量 | 0.050717 oz |
| 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-220 |
| 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | TO-220 |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | MOSFET |
| 系列 | N-channel STripFET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 175 °C |